发布于 2026-10-01
日文原文
半导体器件与工艺开发工程师
【300mm】パワーデバイス開発エンジニア
ルネサス エレクトロニクス
| 职种 | 工程 | 雇用形态 | — |
|---|---|---|---|
| 工作地点 | Kai, Yamanashi, jp | 薪资 | 面议 |
职位概要
该职位负责汽车用新型半导体器件及面向AI的半导体器件的开发与制造工艺开发。工作内容包括:构建200mm至300mm大直径化技术;从构想探讨到量产技术确立的晶圆工艺开发;器件结构设计、晶圆工艺流程构建及器件测量评价;与要素工艺技术、产品设计、质量保证等多部门协作。应聘要求:具有3年以上半导体器件结构设计或工艺开发经验(具备半导体物理基础知识、晶圆工艺设计/试制经验);即使无半导体器件开发经验,但愿意以该领域顶级工程师为目标提升技能者亦可。优先条件:具备晶圆级电特性测量技能、TEG布局设计技能。公司为全球嵌入式半导体解决方案企业,在30多个国家拥有超过21000名工程师,致力于汽车、工业、基础设施、IoT领域的前沿技术开发。企业文化核心为TAGIE(透明、敏捷、全球、创新、创业精神),提供有竞争力的薪酬制度和充实的福利待遇。
职位描述
Job Description 本ポジションでは現在複数名の採用を予定しております。同一内容の求人が複数掲載されている場合がございますが、ご応募は1件のみで問題ございません。ご応募内容は採用チームにて一括で確認させていただきます。 【募集背景】 当社では、自動車向けの新規半導体デバイスに加え、今後の成長領域としてAI向け半導体デバイスの開発に注力しています。これらの製品に用いられる半導体デバイス開発および製造プロセス開発を強化するため、人材を募集します。 デバイス設計からプロセス開発、量産立ち上げまで幅広く関与し、製品価値の最大化に直接貢献していただきます。 【職務内容】 ▼半導体デバイス・プロセス開発 ・200mmから300㎜への大口径化技術の構築 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築及びデバイス測定評価 ・要素プロセス技術、製品設計、品質保証など多部門との連携 ※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。 Qualifications 【MUST】 ・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上 (半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス設計/試作経験) ・半導体デバイス開発未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとして スキルアップに取り組める方 【WANT】 ・ウエハレベル電気特性測定スキル ・TEG(Test Element Group)レイアウト設計スキル Additional Information ルネサスは、「To Make Our Lives Easier(人々の暮らしをより豊かで快適にする)」というPurposeのもと、組込み半導体ソリューションを提供するグローバル企業です。世界30か国以上で活躍する21,000人を超えるエンジニアや課題解決のプロフェッショナルとともに、自動車、産業、インフラ、IoT分野における世界最先端のテクノロジー開発に携わり、より安全で、健康的で、環境にやさしく、スマートな未来の実現に貢献しています。 ルネサスでは、「TAGIE(Transparent、Agile、Global、Innovative、Entrepreneurial)」を企業文化の中核としています。TAGIEは、私たちの働き方や成長のあり方、そしてPurposeの実現に向けた取り組みを支える共通の価値観です。この協調的な精神と挑戦するマインドセットが、半導体技術を通じた産業の変革と、世界中の人々の暮らしへの貢献を可能にしています。 私たちは、競争力のある報酬制度に加え、充実した福利厚生をご用意しています。福利厚生の詳細については、選考プロセスの中でご案内いたします。 私たちとともに未来を創造する挑戦に、ぜひ参加しませんか。皆さまからのご応募をお待ちしております。