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发布于 2026-11-13 英文原文

高级主任器件设计与集成工程师

Senior Staff Device Design & Integration Engineer

ルネサス エレクトロニクス

职种工程 雇用形态—
工作地点Goleta, CALIFORNIA, us 薪资该职位的预期年薪范围为145,000美元至181,000美元。该职位还可获得奖金机会。

职位概要

该职位隶属于GaN技术开发组,招聘高级主任器件设计与集成工程师,负责下一代技术平台的开发与集成。工作横跨器件设计、工艺集成、产品、测试、可靠性和制造团队,推动技术从概念到认证和量产。主要职责包括:为下一代技术平台进行器件架构、设计与集成,平衡性能、成本、可制造性和可靠性;与产品、应用、工艺集成、测试、可靠性和制造团队共同定义器件和产品需求;主导芯片设计与版图,包括有源区、终端、金属互连、焊盘和布局优化;规划并支持工程批次和认证批次,包括表征、DOE、可靠性和认证活动;分析电气、良率、可靠性和认证数据,推动设计或工艺改进;主导性能、良率、质量和可靠性问题的根因分析与纠正措施;提供技术领导,沟通风险与决策,并指导跨职能团队工程师。任职资格:电气工程、应用物理、材料科学或相关领域博士加5年以上,或硕士加8年以上半导体器件或产品开发经验;精通功率半导体器件物理、芯片版图、电气表征和技术集成;具有将半导体技术或产品从定义推进到工程批次、认证和量产发布的经验;具有使用JMP、Python、MATLAB或同类工具分析表征、良率和可靠性数据的经验;具备较强的跨职能协作、技术领导、问题解决和沟通能力。优先资格:具有GaN和/或硅功率器件、高压设计、终端和互连优化经验;了解TCAD或紧凑建模、DOE方法、工艺集成和失效分析;具有JEDEC认证经验并熟悉AEC-Q101要求。

职位描述

职位描述 氮化镓(GaN)技术开发组正在招聘一名高级器件设计与集成工程师,负责下一代技术平台的开发与集成。该职位将与器件设计、工艺集成、产品、测试、可靠性和制造团队跨部门协作,推动技术从概念阶段到认证及量产的全过程。 主要职责 负责下一代技术平台的器件架构、设计和集成,平衡性能、成本、可制造性和可靠性。与产品、应用、工艺集成、测试、可靠性和制造团队共同定义器件及产品需求。推动芯片设计和布局,包括有源单元、终端、金属互连、焊盘及布局优化。 规划并支持工程和认证批次,包括特性分析、实验设计(DOE)、可靠性及认证活动。分析电气、良率、可靠性和认证数据,并推动设计或工艺改进。 针对性能、良率、质量和可靠性问题,领导根本原因分析和纠正措施。提供技术领导力,传达风险和决策,并指导跨职能团队中的工程师。任职资格:拥有电气工程、应用物理、材料科学或相关领域的博士学位且具备5年以上经验,或拥有硕士学位且具备8年以上半导体器件或产品开发经验。 精通功率半导体器件物理、芯片布局、电气特性分析及技术集成。具备将半导体技术或产品从定义阶段推进至工程试产、认证及量产放行的经验。具备使用JMP、Python、MATLAB或同类工具分析特性、良率和可靠性数据的经验。 具备出色的跨职能协作、技术领导力、问题解决能力和沟通能力。优先条件:具备GaN和/或硅功率器件、高压设计、引脚连接及互连优化方面的经验。了解TCAD或紧凑模型、DOE方法、工艺集成及失效分析。 具备JEDEC认证经验,并熟悉AEC-Q101要求。其他信息 该职位的预期年薪范围为145,000美元至181,000美元。该职位还有机会获得奖金。请注意,最终的录用薪资将取决于地理位置、相关经验